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Technologische Ausstattung
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Andreas Sackmann
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Technologische Ausstattung

Technologische Ausstattung

Für die Aufbringung der Schichten stehen ein Reinraum und mehrere Labore mit modernem High Tec Equipment zur Verfügung. Hierzu zählen Sputter- und Aufdampfanlagen. Durch den Einsatz mehrerer Targets bzw. Elektronenstrahlverdampfer in einer Anlage können sukzessive Schichten ohne Vakuumbruch abgeschieden werden. Reaktives Sputtern zur Herstellung von Titannitrid ist möglich.
Für polykristallines Silizium und Siliziumverbindungen stehen LPCVD-, Dotier- und Temper- und Oxidationsöfen zur Verfügung. Für Substrate geringerer Temperaturverträglichkeit stehen PECVD-Anlagen bereit.



Zur Qualitätssicherung nach DIN EN ISO 9001:2008 und Charakterisierung der Schichteigenschaften kommt eine Umfangreiche Messausstattung zum Einsatz. Hierzu gehören:

  • Ellipsometer
  • Weißlichtinterferometer
  • Vierpunktspitzenmessplatz
  • Tastschrittgeräte
  • CCD-Mikroskope
  • Rasterelektronenmikroskop
  • Transmissionselektronenmikroskop
  • Manuelle und automatisierter Prober